جامع نیوز:ساخت حافظه سه بعدی با نام ۳D V-NAND به طور گسترده‌ای در کشور چین آغاز شده است. سامسونگ الکترونیک به عنوان پرچمدار جهانی در تکنولوژی حافظه‌های نیمه رسانا با راه‌اندازی این خط تولید، توانسته در رقابتی که امروزه بر سر فشردن اطلاعات هر چه بیشتر در یک حافظه‌ی فلش وجود دارد، پیشگام باشد.

حافظه‌های سه بعدی دارای ۳۲ لایه هستند و هر تراشه‌ی آن‌ها ظرفیتی معادل ۱۲۸ گیگا بایت دارد. به گفته‌ی «جونگ هیوک چوی» مدیر بخش تکنولوژی و حافظه‌های فلش کمپانی سامسونگ، این محصول حاصل سال‌ها تلاش متخصصان برای حرکت فراتر از روش‌های متعارف است و نوآوری‌هایی را به ‌منظور غلبه بر محدودیت‌های این عرصه معرفی می‌‌کند.

از ویژگی‌های شاخص این حافظه‌های سه بعدی، قابلیت حفاظت از اطلاعات تا پنج برابر بیشتر در مقایسه با نسل قبلی یعنی حافظه‌های ۲ بعدی (۲D-NAND) است. همچنین در این نوع فلش، سرعت ثبت اطلاعات و بازیابی آن دو برابر افزایش یافته است. از دیگر ویژگی‌های مهم حافظه‌های سه بعدی ((۳D V-NAND می‌توان به بهبود ۴۰ درصدی عملکرد مصرف انرژی و عمر باتری اشاره کرد.

خط تولید حافظه سه بعدی در مجتمع صنعتی با مساحت کل ۲۳۰ هزار متر مربع در یک زمین ۱۴/۱ میلیون مترمربعی در شهر «ژیان» چین که نقطه‌ شروع جاده‌ی ابریشم است، قرار دارد و ساخت آن ۲۰ ماه به طول انجامیده است. حدود ۵۰ درصد فلش‌‌های جهانی ناند در پایگاه‌های تولیدی و توسط تعداد زیادی از کمپانی‌های IT در این مجتمع صنعتی تولید می‌شود.

با شروع فعالیت این خط تولید عظیم، سامسونگ توانسته یک زیرساخت نیرومند تولید حافظه‌ی فلش سه بعدی با تجهیزات و ملزومات ماندگارتر، بر اساس نیاز مشتریان خود فراهم‌آورد و تصمیم دارد که تا آخر امسال مجتمع صنعتی مذکور را که شامل تکنولوژی مونتاژ و خط آزمایش نیز هست، تکمیل کند.

سفیر کره در مراسمی با حضور مدیر‌کل سامسونگ دکتر او هیون، تعداد زیادی از مقامات بلند پایه‌ی دولتی چین و دیگر مهمانان افتخاری از قبیل تأمین‌کنندگان سامسونگ و مشتریان آن ابراز امیدواری کرده است که این مجتمع صنعتی جدید که حاصل روابط دوستانه با چین است بتواند به عنوان نقطه‌ی عطف فعالیت‌های انجام شده در جاده‌ی ابریشم در قرن ۲۱ تبدیل شود.